12月22日，意法半导体宣布公司与理想汽车签署一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。

图片来源： 意法半导体

随着汽车行业电动化和绿色低碳转型的持续深入，高压纯电动车因其能效更高、续航里程更远，已成为汽车制造商的热门选择。碳化硅则具有更高的开关频率、击穿电压和热阻，可以显著提高功率晶体管的性能和能效，对于纯电车的高电压环境至关重要。

意法半导体作为全球功率半导体和宽禁带技术的龙头企业，也是多家知名汽车制造商和一级供应商的长期供货商，在全球SiC MOSFET市场的份额超过50%。其碳化硅已被广泛用于新能源汽车的车载充电和功率模块中。

理想汽车则在今年4月上海车展期间正式宣布进军纯电车市场，强调“双能战略”布局。其首款家庭科技纯电旗舰MPV——理想MEGA已于2023年第四季度初次亮相。未来，理想汽车还将计划推出更多高压纯电动车型，这就需要在电驱逆变器中大量采用SiC MOSFET。

据意法半导体介绍，理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET先进技术，具有率先行业的工艺稳定性、性能、能效和可靠性。

理想汽车供应链副总裁孟庆鹏表示：“理想汽车致力于为家庭用户提供超预期的豪华电动车。本次与ST的SiC供货协议签署印证了理想汽车开发纯电动车产品的坚定决策。我们看好与全球碳化硅技术龙头ST的未来合作，这必将是一段创新和成功的合作关系。”

目前，理想汽车的纯电布局也在加速过程中。今年6月，理想汽车发布800V高压平台5C电池，充电峰值功率超过500kw，9分30秒续航400公里，充电22分钟续航600公里；5C快充采用低内阻电芯，产热降低30％。

按照计划，理想汽车将在2023年底前完成建300 +个超级充电站，2025 年完成建设3000 +个超充站。2025年，超充站点之间平均间隔100公里，单个站点每小时可以服务9-20辆车。